2N5785

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-39-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

65 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

750 mV

최대 DC 수집기 전류:

1.2 A

이득 대역폭 곱 fT:

1 MHz

시리즈:

2N5785

DC 전류 이득 hFE 최대:

100

키:

6.6 mm

길이:

9.4 mm

포장:

대부분

너비:

9.4 mm

상표:

중앙반도체

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

20 at 1.2 A, 2 V

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2N5785 PBFREE

Tags

2N578, 2N57, 2N5