IXTH3N200P3HV

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

높은 전압

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

60 ns

Id - 연속 드레인 전류:

3 A

Pd - 전력 손실:

520 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

8 Ohms

상승 시간:

27 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

Polar3

일반적인 끄기 지연 시간:

67 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

21 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

2000 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Tags

IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT