C3M0120090J

제품 속성

속성 값

제조사:

주식회사 크리

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

SiC

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-7

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

900 V

Id - 연속 드레인 전류:

22 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

170 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.8 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

18 V, - 8 V

Qg - 게이트 차지:

17.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

83 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

제품:

파워 MOSFET

유형:

실리콘 카바이드 MOSFET

상표:

울프스피드 / 크리어

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6.7 S

가을 시간:

5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

9 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

15 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12.5 ns

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M