IRF7807VD2PBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

8.3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

25 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

9.5 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2.5 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

1.75 mm

길이:

4.9 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

FETKY MOSFET 및 쇼트키 다이오드

너비:

3.9 mm

상표:

인피니언 / IR

가을 시간:

2.2 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

1.2 ns

공장 팩 수량:

95

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

11 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6.3 ns

부품 번호 별칭:

SP001575258

단위 무게:

0.019048 oz

Tags

IRF7807VD2, IRF7807VD, IRF7807V, IRF7807, IRF780, IRF78, IRF7, IRF