TPN4R712MD,L1Q

제품 속성

속성 값

제조사:

도시바

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSON Advance-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

36 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.7 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

500 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

65 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

42 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.85 mm

길이:

3.1 mm

시리즈:

TPN4R712MD

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

너비:

3.1 mm

상표:

도시바

가을 시간:

145 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

11 ns

공장 팩 수량:

5000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

443 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

18 ns

단위 무게:

0.000705 oz

Tags

TPN4R712M, TPN4R7, TPN4, TPN