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TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4
Mfr. #:
TC58NYG1S3HBAI4
제조사:
Toshiba Memory
설명:
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
TC58NYG1S3HBAI4 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
도시바
제품 카테고리:
낸드 플래시
RoHS:
Y
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
TFBGA-63
메모리 크기:
2 Gbit
인터페이스 유형:
평행 한
조직:
256 M x 8
타이밍 유형:
동기
데이터 버스 폭:
8 bit
공급 전압 - 최소:
1.7 V
공급 전압 - 최대:
1.95 V
공급 전류 - 최대:
30 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 85 C
포장:
쟁반
메모리 유형:
낸드
제품:
낸드 플래시
속도:
25 ns
건축학:
블록 지우기
상표:
도시바 메모리
최대 클록 주파수:
-
습기에 민감한:
네
상품 유형:
낸드 플래시
공장 팩 수량:
210
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
TC58NYG1S3HBAI4, TC58NYG1S3H, TC58NYG1S3, TC58NYG1, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ronik
NAND-Flash 256Mx8 1.8V BGA63
***i-Key
2GB NAND SLC 24NM BGA (EEPROM)
***et
2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
부분 # 제조 설명 재고 가격
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # TC58NYG1S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products2G NAND SLC 24NM BGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$3.8950
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # TC58NYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic Components2Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG1S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$2.8900
  • 420:$2.8900
  • 840:$2.7900
  • 1260:$2.7900
  • 2100:$2.6900
TC58NYG1S3HBAI4
DISTI # 757-TC58NYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		228
  • 1:$5.3200
  • 10:$4.2800
  • 100:$3.9000
  • 250:$3.5200
  • 500:$3.1600
  • 1000:$2.6600
  • 2500:$2.5300
영상 부분 # 설명
TC58NYG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NYG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3EBAI5

 NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S8EBAI4

Mfr.#: TC58NYG1S8EBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8EBAI4-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6-2GBIT-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0FBAI4-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG2S3ETAIO

Mfr.#: TC58NYG2S3ETAIO

OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAIO-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG2S0HBAI6

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NYG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3EBAI5-1151

 Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG0S3EBAI4JRH

Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4JRH

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4JRH-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG1S3HBAI4-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-ND-1190

 신규 및 오리지널
유효성
재고:
228
주문 시:
2211
수량 입력:
TC58NYG1S3HBAI4의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$3.52
US$3.52
10
US$3.19
US$31.90
25
US$3.12
US$78.00
50
US$3.11
US$155.50
100
US$2.79
US$279.00
250
US$2.78
US$695.00
500
US$2.67
US$1 335.00
1000
US$2.54
US$2 540.00
2500
US$2.42
US$6 050.00
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