IRF630NSTRRPBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Id - 연속 드레인 전류:

9.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

300 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

23.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

82 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

2.3 mm

길이:

6.5 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

HEXFET 전력 MOSFET

너비:

6.22 mm

상표:

인피니언 / IR

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

4.9 S

가을 시간:

15 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

14 ns

공장 팩 수량:

800

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

27 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7.9 ns

부품 번호 별칭:

SP001561818

단위 무게:

0.139332 oz

Tags

IRF630NST, IRF630NS, IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF