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| PartNumber | RN1109(T5L,F,T) | RN1108MFV(TPL3) | RN1107MFV(TPL3) |
| Description | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms |
| Manufacturer | Toshiba | Toshiba | Toshiba |
| Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS | Y | N | N |
| Configuration | Single | Single | Single |
| Transistor Polarity | NPN | NPN | NPN |
| Typical Input Resistor | 47 kOhms | 22 kOhms | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 2.14 | 0.468 | 0.213 |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-416-3 | - | - |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 70 | 80 | 80 |
| Collector Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | 50 V | 50 V |
| Continuous Collector Current | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| Pd Power Dissipation | 100 mW | 150 mW | 150 mW |
| Series | RN1109 | RN1108 | RN1107 |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Emitter Base Voltage VEBO | 15 V | - | - |
| Brand | Toshiba | Toshiba | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA | - | - |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 8000 | 8000 |
| Subcategory | Transistors | Transistors | Transistors |
| Unit Weight | 0.000212 oz | - | - |
| Peak DC Collector Current | - | 100 mA | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | - | + 150 C | + 150 C |
| DC Current Gain hFE Max | - | 80 | 80 |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba |
RN1109MFV(TPL3) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms | |
| RN1109,LF(CT | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor | ||
| RN1109(T5L,F,T) | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | ||
| RN1108MFV(TPL3) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms | ||
| RN1107MFV(TPL3) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms | ||
| RN1107MFV(TPL3) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms | ||
| RN1108MFV(TPL3) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms | ||
| RN1109(T5L,F,T) | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | ||
| RN1109MFV(TPL3) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms | ||
| RN1108(T5L,F,T) | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | ||
| RN1108ACT(TPL3)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108CT(TPL3)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108FSTPL3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50mA 20volts 3Pin 22K x 47Kohms | ||
| RN1108ACT | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108CT | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109ACT | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109CT | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1107LF(CTTR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108(T5LFT)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108(T5LFT)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108(T5LFT)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108ACT(TPL3)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108ACT(TPL3)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108CT(TPL3)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108CT(TPL3)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109(T5LFT)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109(T5LFT)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109(T5LFT)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109ACT(TPL3)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109ACT(TPL3)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109ACT(TPL3)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109CT(TPL3)CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109CT(TPL3)DKR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109CT(TPL3)TR-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109LF(CT-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109MFVL3F-ND | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108(F) | TRANSISTOR DIGITAL NPN RN1108(F), PK | ||
| RN1107MFV(TL3PAV) | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108 | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108FS(TL3EKA3,E | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108FV | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108MFV | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109MFV | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109MFVTPL3 | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1107MF | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1107MFV | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1107MFV TPL3 | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1108FS | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109 | 신규 및 오리지널 | ||
| RN1109F | 신규 및 오리지널 |