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| PartNumber | SEMIX302GAR12E4S | SEMIX302GB126HDS | SEMIX302GB126HS |
| Description |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
| SEMIX302GAR12E4S | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX302GB126HDS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX302GB126HS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX302GB128D | IGBT 4 (Trench) | ||
| SEMIX302GB128DS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX302GB12E4S | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX302GB12T4S | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX302KD16S | SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A | ||
| SEMIX302KH16S | SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A | ||
| SEMIX302KT16S | SEMIX, Trench Rectifier Thyristor Module, 1600V, 300A | ||
| SEMIX303GB12E4 | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX303GB12E4S | IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 466A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:466A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br) | ||
| SEMIX303GB12V | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX303GB12VS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX303GD12E4C | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX303GD12T4C | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX303GD12VC | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX341D16S | RECTIFIER MODULE, 1.6KV, 340A, SEMIX 13S, No. of Phases:Three Phase, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.6kV, Forward Current If(AV):340A, Bridge Rectifier Case Style:Module, Forward Voltage VF | ||
| SEMIX352GAL128DS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX352GAR128DS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX352GB128D | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX352GB128DS | IGBT POWER MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:377A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.35V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.15V, | ||
| SEMIX353GB126HDS | IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC | ||
| SEMIX353GB126V1 | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX353GB126V3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX353GB128DS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX353GB176HDS | 신규 및 오리지널 | ||
| SEMIX353GD126HDC | SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 300A | ||
| SEMIX353GD126HDS | 신규 및 오리지널 |
