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| PartNumber | SI4228DY-T1-GE3 | SI4226DY-T1-GE3 | SI4226DY-T1-E3 |
| Description | MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4228DY-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4228DY-T1-GE3 |
| Manufacturer | Vishay | Vishay | Vishay |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | E |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 | - | SO-8 |
| Number of Channels | 2 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 25 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 8 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 18 mOhms | - | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 600 mV | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 12 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 25 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 3.1 W | - | - |
| Configuration | Dual | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Tradename | TrenchFET | TrenchFET | TrenchFET |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Series | SI4 | SI4 | SI4 |
| Transistor Type | 2 N-Channel | - | - |
| Brand | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix |
| Forward Transconductance Min | 68 S | - | - |
| Fall Time | 10 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 12 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 2500 | 2500 | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 21 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 7 ns | - | - |
| Part # Aliases | SI4228DY-GE3 | SI4226DY-GE3 | SI4226DY-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz | 0.006596 oz | 0.006596 oz |
| Height | - | - | 1.75 mm |
| Length | - | - | 4.9 mm |
| Width | - | - | 3.9 mm |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SI4288DY-T1-GE3 | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | |
| SI4228DY-T1-GE3 | MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 | ||
| SI4304DY-T1-E3 | MOSFET 30V 36A 7.8W | ||
| SI4304DY-T1-GE3 | MOSFET 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V | ||
| SI4276DY-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4202DY-T1-GE3 | ||
| SI4226DY-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4228DY-T1-GE3 | ||
| SI4226DY-T1-E3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4228DY-T1-GE3 | ||
| SI4304DY-T1-E3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 36A 7.8W | ||
Silicon Labs |
SI4300-E-BM | RF Wireless Misc | |
| SI4300-E-BM | IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA | ||
| SI4300-EVB | BOARD EVAL FOR SI4300 | ||
| SI4300T-B-BM | IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA | ||
Vishay |
SI4276DY-T1-GE3 | IGBT Transistors MOSFET 30 Volts 8 Amps 2.8 Watts | |
| SI4226DY-T1-E3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V | ||
| SI4226DY-T1-GE3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 3.2W 19.5mohm @ 4.5V | ||
| SI4228DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO | ||
| SI4228DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | ||
| SI4286DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO | ||
| SI4288DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | ||
| SI4230DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | ||
| SI4276DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | ||
| SI4288DY-T1-GE3-CUT TAPE | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4228DY | 신규 및 오리지널 | ||
| SI422DP-T1-GE3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI422LB-GM | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4230-A0-FM(IA4230) | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4231-DKDB1 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4232DY. | 신규 및 오리지널 | ||
| SI426 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4262DY | 신규 및 오리지널 | ||
| SI426DQ | 신규 및 오리지널 | ||
| SI42742 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4276DY | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4280DR3 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4282DVP | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4288DY | 신규 및 오리지널 | ||
| SI42TI | 신규 및 오리지널 | ||
| SI43-1K5-R | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4300-E-BMR | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4300DY-T1 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4300DY-T1-E3 | MOSFET 30 Volt 9.0 Amp 2.5W | ||
| SI4228 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI423 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4304DY | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4304DY-T1-E3, | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4270CY | 신규 및 오리지널 | ||
| SI43-101 | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4300-BM | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4300-D-BMR | 신규 및 오리지널 | ||
| SI4300T-BM | 신규 및 오리지널 |