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| PartNumber | SIS322DNT-T1-GE3 | SIS330DN-T1-GE3 |
| Description | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SISA14DN-T1-GE3 |
| Manufacturer | Vishay | Vishay |
| Product Category | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | E | E |
| Technology | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-1212-8 | PowerPAK-1212-8 |
| Number of Channels | 1 Channel | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 30 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 38.3 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 6 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 1.2 V | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V, - 16 V | - |
| Qg Gate Charge | 21.5 nC | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - |
| Pd Power Dissipation | 19.8 W | - |
| Configuration | Single | - |
| Channel Mode | Enhancement | - |
| Tradename | TrenchFET, PowerPAK | TrenchFET, PowerPAK |
| Packaging | Reel | Reel |
| Height | 1.04 mm | 1.04 mm |
| Length | 3.3 mm | 3.3 mm |
| Series | SIS | SIS |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - |
| Width | 3.3 mm | 3.3 mm |
| Brand | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix |
| Forward Transconductance Min | 54 S | - |
| Fall Time | 7 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 15 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 15 ns | - |
| Part # Aliases | - | SIS330DN-GE3 |
| Unit Weight | - | 0.017637 oz |
| 제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SIS322DNT-T1-GE3 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | |
| SIS330DN-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SISA14DN-T1-GE3 | ||
Vishay |
SIS330DN-T1-GE3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts | |
| SIS322DNT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 | ||
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