PSMN8R5-100XSQ

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

49 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

22.6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

100 nC

Pd - 전력 손실:

55 W

포장:

튜브

상표:

넥스페리아

가을 시간:

40 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

30 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

83 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

21.5 ns

단위 무게:

0.211644 oz

Tags

PSMN8R5-100, PSMN8R5-1, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM