TH58BYG3S0HBAI4

Mfr. #:: TH58BYG3S0HBAI4
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TH58BYG3S0HBAI4 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TFBGA-63

메모리 크기:: 8 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 1 G x 8

타이밍 유형:: 동기

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 1.7 V

공급 전압 - 최대:: 1.95 V

공급 전류 - 최대:: 30 mA

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

상표:: 도시바 메모리

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 210

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TH58BYG3, TH58BY, TH58B, TH58, TH5

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Step1:
Vacuum Packaging with PL

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Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
TH58BYG3S0HBAI4 DISTI # TH58BYG3S0HBAI4-ND	Toshiba Semiconductor and Storage Products	8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8 RoHS: Compliant Container: Tray	Temporarily Out of Stock
TH58BYG3S0HBAI4 DISTI # TH58BYG3S0HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash Serial 8Gbit 1.7 to 1.95V 63-Ball TFBGA - Trays (Alt: TH58BYG3S0HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Americas - 0	2100:$5.1900 1260:$5.2900 840:$5.4900 420:$5.5900 210:$5.6900
TH58BYG3S0HBAI4_TRAY DISTI # TH58BYG3S0HBAI4_TRAY	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash Memory (Alt: TH58BYG3S0HBAI4_TRAY) RoHS: Compliant Min Qty: 1	Europe - 0	1000:€4.9900 500:€5.3900 100:€5.5900 50:€5.7900 25:€6.0900 10:€6.2900 1:€6.8900
TH58BYG3S0HBAI4 DISTI # 757-TH58BYG3S0HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	0	210:$6.9300 420:$6.7200 630:$6.3900 1050:$6.1700

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영상	부분 #	설명
	Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6 OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6	NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
	Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4 OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4	NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6 OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6	NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6 OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
	Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6 OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V Benand
	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4 OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	4G SLC NAND BGA 24NM Benand
	Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4 OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4-1190	8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4-ND OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-ND-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6-ND OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-ND-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6-ND OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-ND-1190	신규 및 오리지널