QPD1823

QPD1823
Mfr. #:
QPD1823
제조사:
Qorvo
설명:
RF JFET Transistors 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
QPD1823 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
QPD1823 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
코르보
제품 카테고리:
RF JFET 트랜지스터
RoHS:
Y
트랜지스터 유형:
헴트
기술:
GaN SiC
얻다:
21 dB
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
-
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:
-
Id - 연속 드레인 전류:
-
출력 파워:
220 W
최대 드레인 게이트 전압:
-
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
-
Pd - 전력 손실:
-
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
NI400-2
포장:
쟁반
애플리케이션:
마이크로셀 기지국, W-CDMA / LTE
구성:
하나의
동작 주파수:
1.8 GHz to 2.4 GHz
시리즈:
QPD
상표:
코르보
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
-
상품 유형:
RF JFET 트랜지스터
공장 팩 수량:
250
하위 카테고리:
트랜지스터
부품 번호 별칭:
1130969
Tags
QPD1, QPD
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QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
영상 부분 # 설명
QPD3601

Mfr.#: QPD3601

OMO.#: OMO-QPD3601

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Mfr.#: QPD1004SR

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Mfr.#: QPD1008

OMO.#: OMO-QPD1008-1152

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Mfr.#: QPDS-P801

OMO.#: OMO-QPDS-P801-1190

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Mfr.#: QPD1009

OMO.#: OMO-QPD1009-318

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Mfr.#: QPDF-320-48

OMO.#: OMO-QPDF-320-48-QUALTEK

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Mfr.#: QPD-60-5

OMO.#: OMO-QPD-60-5-QUALTEK

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Mfr.#: QPDF-150-24

OMO.#: OMO-QPDF-150-24-QUALTEK

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QPDF-100-24

Mfr.#: QPDF-100-24

OMO.#: OMO-QPDF-100-24-QUALTEK

Switching Power Supplies 24V 4.2A 100W P/S SINGLE OUTPUT
유효성
재고:
Available
주문 시:
1000
수량 입력:
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