SQD10N30-330H_GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

300 V

Id - 연속 드레인 전류:

10 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

275 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

47 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

107 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

키:

2.38 mm

길이:

6.73 mm

시리즈:

광장

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

6.22 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

26 S

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

18 ns

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

20 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

단위 무게:

0.011993 oz

Tags

SQD10N, SQD10, SQD1, SQD