CGHV14500F

CGHV14500F
Mfr. #:
CGHV14500F
제조사:
N/A
설명:
RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
CGHV14500F 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
CGHV14500F 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
주식회사 크리
제품 카테고리:
RF JFET 트랜지스터
RoHS:
Y
트랜지스터 유형:
헴트
기술:
GaN
얻다:
17.1 dB
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
150 V
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:
- 10 V to 2 V
Id - 연속 드레인 전류:
36 A
출력 파워:
510 W
최대 드레인 게이트 전압:
-
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 130 C
Pd - 전력 손실:
-
장착 스타일:
나사산
패키지/케이스:
440117
포장:
튜브
애플리케이션:
-
구성:
하나의
키:
-
길이:
-
동작 주파수:
1.2 GHz to 1.4 GHz
작동 온도 범위:
-
제품:
GaN HEMT
너비:
-
상표:
울프스피드 / 크리어
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
-
게이트 소스 차단 전압:
-
등급:
-
개발 키트:
CGHV14500F-TB
가을 시간:
-
NF - 노이즈 피겨:
-
P1dB - 압축점:
-
상품 유형:
RF JFET 트랜지스터
Rds On - 드레인 소스 저항:
-
상승 시간:
-
공장 팩 수량:
50
하위 카테고리:
트랜지스터
일반적인 끄기 지연 시간:
-
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
- 3 V
Tags
CGHV145, CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***o-Tech
- 500W, 1200 - 1400MHz, GaN HEMT Flange Package
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V 440117
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
부분 # 제조 설명 재고 가격
CGHV14500F
DISTI # CGHV14500F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V 440117
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
66In Stock
  • 1:$520.0000
CGHV14500-TB
DISTI # CGHV14500-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV14500
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Box
2In Stock
  • 1:$632.5000
CGHV14500F
DISTI # 941-CGHV14500F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
RoHS: Compliant
36
  • 1:$583.4200
CGHV14500-TB
DISTI # 941-CGHV14500F-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
2
  • 1:$617.0800
CGHV14500F
DISTI # CGHV14500F
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1:$629.4700
영상 부분 # 설명
CGHV1F025S

Mfr.#: CGHV1F025S

OMO.#: OMO-CGHV1F025S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
CGHV1J025D-GP4

Mfr.#: CGHV1J025D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J025D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
CGHV1F006S-AMP3

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP3

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP3

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV14250

Mfr.#: CGHV14250

OMO.#: OMO-CGHV14250-1190

신규 및 오리지널
CGHV14800F

Mfr.#: CGHV14800F

OMO.#: OMO-CGHV14800F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 440117
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F006S
CGHV14500-TB

Mfr.#: CGHV14500-TB

OMO.#: OMO-CGHV14500-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV14500
CGHV1J006D

Mfr.#: CGHV1J006D

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 6W GaN Gain@10GHz 17dB
CGHV1J025D

Mfr.#: CGHV1J025D

OMO.#: OMO-CGHV1J025D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
유효성
재고:
36
주문 시:
2019
수량 입력:
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참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
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US$583.42
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