SQJ401EP-T2_GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SO-8L-4

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

12 V

Id - 연속 드레인 전류:

32 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

600 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

109 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

83 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

시리즈:

광장

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

Tags

SQJ401EP-T, SQJ401, SQJ40, SQJ4, SQJ