NE350184C

NE350184C
Mfr. #:
NE350184C
제조사:
CEL
설명:
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
NE350184C 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE350184C DatasheetNE350184C Datasheet (P4-P6)NE350184C Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
제품 카테고리:
RF JFET 트랜지스터
RoHS:
Y
트랜지스터 유형:
HFET
기술:
GaAs
얻다:
13.5 dB
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
4 V
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:
- 3 V
Id - 연속 드레인 전류:
70 mA
최대 작동 온도:
+ 150 C
Pd - 전력 손실:
165 mW
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
마이크로X
포장:
대부분
동작 주파수:
20 GHz
제품:
RF JFET
유형:
GaAs HFET
상표:
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
40 mS
게이트 소스 차단 전압:
- 2 V
NF - 노이즈 피겨:
0.7 dB
상품 유형:
RF JFET 트랜지스터
공장 팩 수량:
30
하위 카테고리:
트랜지스터
Tags
NE3501, NE350, NE35, NE3
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***i-Key
HJ-FET 20GHZ MICRO-X
부분 # 제조 설명 재고 가격
NE350184C
DISTI # NE350184C-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE350184C
    DISTI # 551-NE350184C
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
    RoHS: Compliant
    0
      NE350184C-T1A
      DISTI # 551-NE350184C-T1-A
      California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
      RoHS: Compliant
      0
        NE350184C-T1
        DISTI # 551-NE350184C-T1
        California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
        RoHS: Compliant
        0
          NE350184C-A
          DISTI # 551-NE350184C-A
          NEC Electronics GroupRF JFET Transistors Low Noise HJ FET
          RoHS: Compliant
          0
            영상 부분 # 설명
            NE3515S02-T1D-A

            Mfr.#: NE3515S02-T1D-A

            OMO.#: OMO-NE3515S02-T1D-A-CEL

            RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
            NE3512S02-T1D-A

            Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

            OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

            RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
            NE3511S02-A

            Mfr.#: NE3511S02-A

            OMO.#: OMO-NE3511S02-A-CEL

            RF JFET Transistors X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
            NE3515S02-A

            Mfr.#: NE3515S02-A

            OMO.#: OMO-NE3515S02-A-CEL

            RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
            NE3503M04-T2

            Mfr.#: NE3503M04-T2

            OMO.#: OMO-NE3503M04-T2-1190

            신규 및 오리지널
            NE3508M04-A-ND

            Mfr.#: NE3508M04-A-ND

            OMO.#: OMO-NE3508M04-A-ND-1190

            신규 및 오리지널
            NE3510M04-T1-A

            Mfr.#: NE3510M04-T1-A

            OMO.#: OMO-NE3510M04-T1-A-1190

            신규 및 오리지널
            NE3512S02-T1B

            Mfr.#: NE3512S02-T1B

            OMO.#: OMO-NE3512S02-T1B-1190

            신규 및 오리지널
            NE3560M06-T2

            Mfr.#: NE3560M06-T2

            OMO.#: OMO-NE3560M06-T2-1190

            신규 및 오리지널
            NE358P

            Mfr.#: NE358P

            OMO.#: OMO-NE358P-1190

            신규 및 오리지널
            유효성
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            Available
            주문 시:
            3000
            수량 입력:
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