IGT60R190D1SATMA1

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

GaN

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PG-HSOF-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

12.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

190 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

0.9 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

3.2 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

55.5 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

CoolGaN

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

인피니언 테크놀로지스

가을 시간:

12 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5 ns

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

12 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

11 ns

부품 번호 별칭:

SP001701702

Tags

IGT60, IGT6, IGT