GS66516T-E02-MR

제품 속성

속성 값

제조사:

GaN 시스템

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

GaN

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

GaNPX-4

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

650 V

Id - 연속 드레인 전류:

60 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

25 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

7 V

Qg - 게이트 차지:

12 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.54 mm

길이:

9 mm

제품:

MOSFET

시리즈:

GS66516x

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

7.6 mm

상표:

GaN 시스템

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

부품 번호 별칭:

GS66516T-E02-MR

Tags

GS665, GS66, GS6