TH58BYG2S3HBAI4

Mfr. #:: TH58BYG2S3HBAI4
제조사:: Toshiba Memory
설명:: NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: TH58BYG2S3HBAI4 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사:: 도시바

제품 카테고리:: 낸드 플래시

RoHS:: Y

장착 스타일:: SMD/SMT

패키지/케이스:: TFBGA-63

메모리 크기:: 4 Gbit

인터페이스 유형:: 평행 한

조직:: 512 M x 8

데이터 버스 폭:: 8 bit

공급 전압 - 최소:: 1.7 V

공급 전압 - 최대:: 1.95 V

최소 작동 온도:: - 40 C

최대 작동 온도:: + 85 C

포장:: 쟁반

메모리 유형:: 낸드

제품:: 낸드 플래시

상표:: 도시바 메모리

습기에 민감한:: 네

상품 유형:: 낸드 플래시

공장 팩 수량:: 210

하위 카테고리:: 메모리 및 데이터 저장

Tags: TH58BYG2, TH58BY, TH58B, TH58, TH5

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Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

Step3:
Packaging Boxes

TH58BYG2S3HBAI4 설명

***et: SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M X 8bit 25ns 63-Pin FBGA Tray

***i-Key: 4G SLC NAND BGA 24NM

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
TH58BYG2S3HBAI4 DISTI # TH58BYG2S3HBAI4-ND	Toshiba Semiconductor and Storage Products	4G SLC NAND BGA 24NM RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Temporarily Out of Stock	210:$5.7350
TH58BYG2S3HBAI4 DISTI # TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M X 8bit 25ns 63-Pin FBGA Tray - Trays (Alt: TH58BYG2S3HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Americas - 0	210:$4.7900 420:$4.6900 840:$4.5900 1260:$4.5900 2100:$4.3900
TH58BYG2S3HBAI4 DISTI # 757-TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	0	1:$7.7500 10:$6.9800 25:$6.3600 100:$5.7400 250:$5.2800 500:$4.8100 1000:$4.1900

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	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6 OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
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	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4 OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	4G SLC NAND BGA 24NM Benand
	Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4 OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4-1190	8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
	Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4-ND OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-ND-1190	신규 및 오리지널
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