PartNumber | TC58NYG0S3HBAI6 | TC58NYG1S3EBAI5 | TC58NYG0S3EBAI4 |
Description | NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | NAND Flash 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
Manufacturer | Toshiba | Toshiba | Toshiba |
Product Category | NAND Flash | NAND Flash | NAND Flash |
RoHS | Y | Y | Y |
Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
Package / Case | VFBGA-67 | TFBGA-63 | TFBGA-63 |
Memory Size | 1 Gbit | 2 Gbit | 1 Gbit |
Interface Type | Parallel | Parallel | Parallel |
Organization | 128 M x 8 | 256 M x 8 | 128 M x 8 |
Data Bus Width | 8 bit | 8 bit | 8 bit |
Supply Voltage Min | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
Supply Voltage Max | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
Supply Current Max | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | - 40 C | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 85 C | + 85 C | + 85 C |
Packaging | Tray | Tray | Tray |
Memory Type | NAND | NAND | NAND |
Brand | Toshiba Memory | Toshiba Memory | Toshiba Memory |
Maximum Clock Frequency | - | - | - |
Moisture Sensitive | Yes | Yes | Yes |
Product Type | NAND Flash | NAND Flash | NAND Flash |
Factory Pack Quantity | 338 | 180 | 210 |
Subcategory | Memory & Data Storage | Memory & Data Storage | Memory & Data Storage |
Timing Type | - | Synchronous | Synchronous |
Product | - | NAND Flash | NAND Flash |
Speed | - | 25 ns | 25 ns |
Architecture | - | Block Erase | Block Erase |
제조사 | 부분 # | 설명 | RFQ |
---|---|---|---|
Toshiba Memory |
TC58NYG2S0HBAI6 | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | |
TC58NYG2S0HBAI4 | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG0S3HBAI6 | NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG1S3HBAI6 | NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG1S3HBAI4 | NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG2S3EBAI5 | NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG1S3EBAI5 | NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG0S3EBAI4 | NAND Flash 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) | ||
TC58NYG0S3EBAI4 | SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG0S3EBAI4) | ||
TC58NYG1S3HBAI6 | EEPROM 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM | ||
TC58NYG2S0HBAI6 | EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM | ||
TC58NYG0S3HBAI6 | EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM | ||
TC58NYG2S0HBAI4 | Flash Memory 4Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM | ||
TC58NYG1S3HBAI4 | Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM | ||
TC58NYG1S3EBAI5 | Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM | ||
TC58NYG2S3EBAI5 | Flash Memory 8Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM | ||
TC58NVG4S2FTA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG4T2DTG00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5D2ETA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5H2HTA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG6D2ETA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3EBA14 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3EBA17 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3EBAI4 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGS0S3ETA0B | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVM9S3EBAI4 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVM9S3EBAI4JAH | EEPROM, 64MX8, 25ns, Parallel, CMOS, PBGA63 | ||
TC58NYG0S3EBA14 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S3HBAI4_TRAY | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S8EBAI4 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S8HBAI6 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S8HBAI6JD2 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG0S3HBAI6-ND | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S3HBAI4-ND | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG1S3HBAI6-ND | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG2S0HBAI4-ND | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG2S0HBAI6-ND | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5D2F | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5D2FTA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5D2HTA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5D2HTA08 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3AFT05 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3ETA00 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG2S0FBAI4 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG2S3ETAI0 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NYG0S3EBAI4JRH | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVG5D2FTA2 | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3ETAOO | 신규 및 오리지널 | ||
TC58NVGOS3ETAOO-B3H | 신규 및 오리지널 |