IRF6665TR1PBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

DirectFET-SH

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

4.2 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

62 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

8.7 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

42 W

구성:

하나의

포장:

릴

키:

0.7 mm

길이:

4.85 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

3.95 mm

상표:

인피니언 / IR

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6.6 S

가을 시간:

4.3 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

2.8 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

부품 번호 별칭:

SP001564530

단위 무게:

0.017637 oz

Tags

IRF6665T, IRF6665, IRF666, IRF66, IRF6, IRF